常州常州大功率灯珠3535LED是p型与n型结合的半导体,但为什么常州常州大功率灯珠3535能发光呢?首先通过pn结的能带模型(见图1. 5)加以说明。
常州常州大功率灯珠3535半导体结晶中存在原子核和电子由于原子核内电子的能级与原子核周期排列结构的原因,结晶中会产生电子可以存在的能级(允带)和不能存在的能级(禁带)的现象。常州常州大功率灯珠3535结晶中的电子从低能量水平的允带开始按顺序填充,可充满电子的最大能量允带称为价电子带,而未充满高能盘电子的允带称为传导带。通过热激发或掺杂,传导带中存有若干电子的半导体称为n型半导体,价电子带中未充满电子的半导体(有空穴的半导体)称为P型半导体。如图1.5(a)所示,当n型半导体和p型半导体结合,如图1.5(b)所示,常州常州大功率灯珠3535通过施加正向电压,高能量传导带中的电子跌落到价电子带中与空穴结合时,能量便转换成光和热释放出来。
有关常州常州大功率灯珠3535LED的发光原理还有一个比较重要的问题,那就是pn结上,临接p型的n型中的电子在一定程度上会扩散到p型一侧,这样在n型一侧,扩散了的电子带正电;同样位于p型一侧的空穴也会在-定程度上扩散到n型一侧,则这部分带负电。
这样在常州常州大功率灯珠3535p型和n型侧,由扩散产生的电位就会形成电位差(扩散电位:Vp)。对于结区,由于Vp形成反向电压,这些电子与P型区域相斥,同样空穴与n型区域相斥,因此在pn结非常小的间隙内形成电子和空穴都不存在的空间电荷区[图1.5(a)]。从外部给pn结施加大到可以消除VD的正向电压后,常州常州大功率灯珠3535电子将从n型区向P型区移动,空穴将从P型区向n型区移动,电子与空穴结合湮灭后便可发光[图1.5(b)]。
如果给常州常州大功率灯珠3535pn结加反向电压,p型和n型之间的电位差会越来越大,电流则无法通过,同时,也不会发光了。常州常州大功率灯珠3535禁带宽度(能级)依物质不同而有所变化,若宽度窄则发光波长长,若宽度大则发光波长短,但它们都是经电子与空穴的结合而发光的。
常州常州大功率灯珠3535LED的亮度不同,价格不同。
灯杯:-般亮度为60-70lm; 球泡灯: 一般亮度为80-90lm。
注: 1W亮度为60-110lm 3W亮度最高可达2401m 5W-300W是集成芯片,用串/并联封装,主要看多少电流,电压,几电几并。
现红光,亮度一般为30-40lm;1W 绿光,亮度一般为60-80lm;1W 黄光,亮度,一般为30-501m:1W 蓝光,亮度一般为20-301m。
LED透镜:一次透镜一般用 PMMA、PC、光学玻璃、硅胶(软硅胶,硬硅胶)等材料。角度越大出光效率越高,用小角度的LED透镜,光线要射得远的。
常州常州大功率灯珠3535抗静电能力,抗静电能力强的LED,寿命长,因而价格高。通常抗静电大于700V的LED才能用于LED灯饰。