在使用LED灯时需要注意什么？

LED灯使用时特别需要注意与温度相关的特性变化（亮度、波长、正向电压），  LED  灯的特性根据芯片温度（Tj：发光结的温度）而变化。芯片温度包括环境温度和LED自身散发的热量。以下文字描述了典型的特性变化。 亮度 LED 灯发出的光量随着 Tj 的升高而减少。这是因为增加了对发光没有贡献的空穴和电子的复合。 LED 灯技术数据显示了发光强度相对于外壳温度的特性图（其中发光强度在 25°C 下标准化为 1.0）。在保证工作温度范围内，发光强度在 0.7 到 1.2 之间变化（基于 25°C 时 1.0 的发光强度） 波长与发光强度一样，发射的波长也会发生变化，这主要是由于温度变化引起的半导体能隙的变化。波长变化的程度因半导体材料而异；在 InGaAlP 型 LED 中，温度升高会导致 d 变化约 0.1 nm /°C。对于需要严格波长标准的应用，必须考虑设备保证工作温度范围内波长的任何变化。正向电压 (Vf) 除特殊情况外，Vf 的变化与发射波长的变化一样，是由半导体能隙的变化引起的。随着温度升高，Vf 下降约 2 mV/°C。Vf 的变化是电路设计中的主要考虑因素。当 LED 灯以恒定电流工作时，Vf 的变化不会影响电路常数。然而，当 LED 灯在大致恒定的电压下工作时，Vf 会随着温度升高和电流增加而下降。电流的增加导致 Tj 进一步上升而 Vf 进一步下降。电流继续增加，直到达到平衡。相反，在低温下，Vf 上升，电流下降。当电路在恒定电压下工作时，可能无法获得所需的发光强度。特性波动不同 LED 之间的特性值差异出现在制造阶段。规定了发光度的最小值以及每个电气特性参数的最小值或最大值。因此，必须在设计光路时考虑到这些波动。例如，除了温度的变化，Vf也有一定的分布。当电路没有内置设计余量时，必须检查Vf波动较大的器件，以确保在温度变化时仍能获得所需的特性。根据电路或设备的特性，可能需要限制 LED 灯特性值的波动量。在这种情况下， 可见光 LED 和传感器光源之间的差异 LED 灯是可见光的发射器。因此，LED 标准基于人类可见光。因此，不建议使用可见 LED 作为光学传感器的光源。相对效率显示了发光效率曲线，表征了人眼敏感的光的波长特性。人眼对波长约为 555 nm 的光最为敏感。在测量LED的光度时，必须根据发光效率曲线对每个波长的光度值进行校正。

要么使用发光效率曲线校正每个待测波长的 LED 输出，要么让待测 LED 的输出通过具有与发光效率曲线相同传输特性的滤光片。当然，还需要考虑光电探测器的波长特性。光电二极管或 CCD 图像传感器有时在光电探测器中用于检查亮度。在这些情况下，可见光 LED 的亮度差异不仅仅是因为它们的光电探测器的灵敏度不同。例如，简单比较660nm的GaA As LED与570nm的InGaAlP LED的发光强度，后者的发光强度要高于前者。然而，考虑到具有光电二极管或CCD图像传感器的光电探测器的接收灵敏度的波长特性，660-nm GaAlAs LED具有更高的输出。另外，技术资料中的波长特性图仅显示可见光光谱，并不表示LED没有发出其他光。特别是，根据 LED 的类型，发射可能在近红外区域具有大峰值。使用光电二极管测量光度时，不要忘记考虑红外光。特别是，根据 LED 的类型，发射可能在近红外区域具有大峰值。使用光电二极管测量光度时，不要忘记考虑红外光。特别是，根据 LED 的类型，发射可能在近红外区域具有大峰值。使用光电二极管测量光度时，不要忘记考虑红外光。